【半導体】EUVオワコンへ！これからはNILの時代に

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キヤノンの次世代半導体製造装置「ナノインプリントリソグラフィ（ＮＩＬ）装置＝用語参照」が動き出す。
同社は２６日、ＮＩＬ装置を発売後初めて納入すると発表し、米テキサス大学オースティン校が支援する半導体研究のコンソーシアム「ＴＩＥ」向けに出荷を開始した。
先端半導体の製造では蘭ＡＳＭＬの極端紫外線（ＥＵＶ）露光装置が覇権を握るが、キヤノンはＮＩＬ装置をてこに最先端への再参入を狙う。EUVより低コストで微細化…キヤノンが半導体装置巻き返し、ナノインプリントで再参入の勝算
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今回納入するＮＩＬ装置はＴＩＥでの半導体デバイスの試作に使われる予定。
キヤノンの光学機器事業本部の岩本和徳副事業本部長は「ＮＩＬは低価格で半導体を製造でき、試作に向く」と話す。キヤノンにとってＮＩＬ装置は先端半導体分野への再参入をかける「戦略装置」だ。

半導体露光装置では、回路の微細化が進むごとに波長の短い光源を利用する。
特に７ナノメートル（ナノは１０億分の1）以下の先端半導体ではＥＵＶ露光装置が不可欠だ。
一方、光源の波長が短くなるほど、物質に吸収されやすくなる。ＥＵＶ露光装置は光源の出力を高めることで半導体製造に使えるようにした。

ただ、ＥＵＶ露光装置の製造は難しい。ニコンとキヤノンは厳しい開発競争に敗れ、両社ともに撤退した過去がある。現在はＡＳＭＬが世界で唯一製造する。

１０数年ぶりに最先端露光装置への参入を目指すキヤノンは、従来の光を転写する露光装置ではなく、はんこを押すように回路を形成できるＮＩＬ装置の開発を進めてきた。
同装置は従来に比べ簡便な方法で微細な回路を形成できるメリットがある。

キヤノンは１４年に米モレキュラーインプリントを買収し、開発を本格化。キオクシアに同装置を納入。
キヤノン、キオクシア、大日本印刷の３社で共同開発を続け、２３年に発売した。実用化まで約１０年を投じてきた。

EUVより微細化はウソだし、歩留まりも悪いランニングコストは安い